提要

在人工智能算力需求引发全球存储芯片涨价、国产化率逐步提升背景下，存储芯片板块迎来业绩增长与估值修复双重驱动窗口期。5月18日A股存储芯片板块表现亮眼，相关公司股价上涨，一季报业绩普遍较快增长，多家公司回应存储业务布局。本轮存储芯片涨价由人工智能算力需求引发，供需两侧共振，幅度与速度超预期，且从上游晶圆环节向下游传导。券商分析师认为AI算力需求拉动、国产化率提升与价格上涨共振，为产业链相关企业带来投资机遇，业内人士称本轮景气周期持续性和强度与过往不同，国内存储产业链有望在更长周期维持较高景气度。【建行私人银行链接】

数据眼

从商业银行授信业务角度看，存储芯片行业展现出良好的发展态势，具备较高的授信价值。 从市场表现数据来看，A股存储芯片板块5月18日表现亮眼，万得存储器概念指数上涨3.98%，同有科技、大普微 - UW均20%涨停，万润科技、深科技涨停，佰维存储涨超8%，兴森科技、兆易创新均涨超6%。这显示出该行业在资本市场的热度和活力，反映出市场对其前景的看好，对于商业银行而言，这是一个积极的信号，意味着行业有较大的发展潜力，授信风险相对较低。 从企业业绩数据来看，已披露的一季报显示相关公司业绩普遍实现较快增长。同有科技一季度实现营业收入1.22亿元，同比增长156.12%；实现净利润8718.08万元，同比增长431.25%，实现扭亏为盈。深科技一季度实现营业收入37.24亿元，同比增长10.67%；实现净利润2.42亿元，同比增长35.35%。兆易创新一季度实现营业收入41.88亿元，同比增长119.38%；实现净利润14.61亿元，同比增长522.79%。这些企业良好的业绩表现说明其具备较强的盈利能力和偿债能力，是商业银行授信的优质对象。 从价格走势数据来看，TrendForce集邦咨询数据显示，2026年第二季度通用型DRAM合约价格预计环比上涨58%至63%，NAND闪存合约价格环比上涨70%至75%，2026年第一季度，DRAM合约价涨幅已被上修至90%至95%，NAND涨幅被上修至55%至60%。价格的上涨意味着企业的收入和利润有望进一步提升，为企业偿还贷款提供了更坚实的保障。 从供需数据来看，高盛研究团队表示，2026年全球DRAM市场供需缺口达4.9%，NAND闪存缺口达4.2%，HBM缺口高达5.1%，均为2011年以来最高水平。供不应求的局面将推动企业扩大生产规模，增加对资金的需求，商业银行可以通过授信支持企业的产能扩张，分享行业发展的红利。 同时，国内存储产业链已形成从晶圆制造、设备材料到封测模组的完整闭环，龙头企业业绩兑现能力持续增强，产业链协同效应逐步显现。这意味着行业的稳定性和抗风险能力较强，商业银行在授信时可以更加放心。 不过，也需要注意一些风险。全球存储芯片产能正经历结构性迁徙，三星电子、SK海力士、美光科技三大巨头垄断全球90%以上的DRAM产能，若这些巨头的产能调整或市场策略发生变化，可能会对国内企业产生一定影响。此外，虽然目前行业处于景气周期，但科技行业变化迅速，技术迭代快，未来市场竞争可能会加剧。商业银行在授信时需要综合考虑这些因素，对企业进行全面评估，合理确定授信额度和期限，以降低授信风险。