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据观点网4月3日消息，中国NAND闪存制造商长江存储计划于今年下半年启动武汉三期晶圆厂，量产高堆叠层数NAND闪存，预计年内NAND产量将超越SK海力士和美光，跃居全球第三，目标月产能30万片，三期项目已进入设备安装调试阶段。【观点网链接】

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长江存储计划于今年下半年正式启动其位于武汉的三期晶圆厂，量产高堆叠层数NAND闪存。三期项目于2025年9月成立，注册资本207.2亿元，目标月产能30万片，目前已进入设备安装调试阶段。根据公开资料，长江存储武汉一期和二期产线已接近满产，其中一期月产能达10万片，二期于2024年投产后仅两年即达6万片/月的设计上限。预计年内其NAND产量将超越SK海力士和美光，跃居全球第三，仅次于三星和铠侠。2025年公司年产量达177万片，预计2026年将接近200万片。长江存储正加速提升200层以上高堆叠NAND产品占比，300层NAND良率预计年内趋于稳定。

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